Thermal Control Thin Films PDF Download

Author: Jia-wen Qiu
Publisher: Walter de Gruyter GmbH & Co KG
ISBN: 3110614898
Category : Technology & Engineering
Languages : en
Pages : 290

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Book Description
The book presents up-to-date thermal control film materials, technologies and applications in spacecraft. Commonly used thermal control film materials and devices for spacecraft are discussed in detail, including single-structure passive thermal control film materials, composite structure passive thermal control film materials, intelligent thermal control film materials, and microstructure thermal control thin film devices.

Author: Van Duren, Stephan
Publisher: Universitätsverlag der TU Berlin
ISBN: 3798330646
Category : Technology & Engineering
Languages : en
Pages : 188

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Book Description
In recent years, kesterite Cu2ZnSnS4 (CZTS) has become an interesting alternative to copper indium gallium (di)selenide (CIGS) due to its non-toxic and earth abundant constituents. A variety of methods is being used to fabricate kesterite thin films, such as coevaporation, sputtering, electrodeposition, spray pyrolysis and others. Most of them include an annealing step to stimulate elemental mixing and interdiffusion. Although conversion efficiencies of kesterite solar cells have increased among different research groups, the record value of 12.6% set by IBM in 2014 has not been broken yet. Therefore, experimental and theoretical studies are needed to predict the effect of the secondary phases and detrimental defects on the electronical properties of the CZTS based solar devices. The work presented here studies non-destructive techniques for in situ process control and monitoring. With the aim to detect phases and phase transitions to optimize crucial processing steps such as pre-annealing of metal precursors, high temperature annealing and vacuum deposition of Cu-Sn-Zn-S based thin films. The research consists of three parts in which Raman spectroscopy, X-ray diffraction (XRD) and reflectometry are used to explore this objective. In the first part Raman spectroscopy is investigated as an in situ monitoring technique during high temperature annealing of thin films. It investigates whether the occurrence of CZTS can be monitored when it is created from annealing a Mo/CTS/ZnS layered thin film. CuS, SnS, ZnS and CTS (Cu-Sn-S) films are prepared by physical vapor deposition. The Raman scattering intensity was compared to investigate whether their specific vibrational modes can be distinguished from each other at room temperature. Then, the CTS film is annealed between 50 and 550 °C in order to investigate whether CTS vibrational modes can be identified at elevated temperatures and to see which transitions take place within the thin film. Also, a CZTS reference film is annealed between 50 and 550 °C for reference purposes. The temperature dependence of the main CZTS modes is examined to investigate whether it can be used for in situ temperature control. Finally, a ZnS layer is deposited on the unannealed CTS film to obtain a Mo/CTS/ZnS layered film. This film is used to study the conversion of CTS/ZnS into CZTS at elevated temperatures. It was found that Raman spectroscopy can successfully be used to monitor formation of CZTS by identifying its main vibrational mode during the annealing process. The intensity of the CTS modes reduces at elevated temperatures. At 450 °C, the main CZTS mode at 338 cm-1 can be clearly identified. The second part also focuses on high temperature annealing. However, in this part the focus lies on annealing of the metal precursor films. It is explored whether specific alloys benefit or hinder the formation of secondary phases during formation of the CZTS absorber films. Also, to what extent this influences solar cell performance. In situ XRD was investigated for in situ monitoring of the pre-annealing process. Cu-poor metal precursor films are prepared by sputtering deposition. The precursors are annealed at 150 °C, 200 °C, 300 °C and 450 °C in a three zone tube furnace. The effect on the structural properties is analysed by XRD to study the formation mechanism of alloys. The precursor films are then sulfurized in a three zone tube furnace. The structural properties of the absorber are analysed and correlated with structures in the precursor. It is found that formation of SnS2 in the absorber is proportional to the remaining Sn in the pre-annealed precursor. Also, electron micrographs showed that pre-annealing temperature influences grain growth and surface precipitation of Sn-S and Zn-S. Pre-annealed absorbers at 450 °C did not exhibit these phases on the surface. Solar devices are fabricated from the absorber films and best performing devices were obtained from pre-annealed absorbers at 450 °C. They showed absence of Sn and SnS2 in, respectively, the precursor and absorber. It could be concluded that SnS2 phases are detrimental to device efficiency and that SnS2 XRD peak intensity follows an inverse proportionality with device efficiency. The third part explores reflectometry as a method to monitor a growing film during thermal evaporation in a physical vapor deposition (PVD) system. A set of six CZTS absorbers is examined by ex situ Raman spectroscopy and reflectometry to study the influence of secondary phases CuS and ZnS on reflection spectra. Composition strongly influences reflection spectra and CuS leaves a characteristic dip in the reflection spectrum at about 600 nm. An integration method was used to analyze this phenomenon quantitatively. Subsequently, a reflectometry setup is designed, developed and integrated in the PVD system. Four different CZTS co-evaporated and multi-layered films are deposited. Structural, morphological and vibrational properties are investigated. The reflection spectra are monitored during deposition and time-dependent reflection spectra are analyzed for characteristic aspects related to properties such as thickness, band gap and phase formation. CuS could not be detected in the films by the integration method due to the superposition of the CuS dip with developing interference fringes during film growth. However, in multilayered CTS/ZnS film it is found that the onset of ZnS deposition can be detected by increased reflection intensity due to reduced surface roughness. Additionally, the shifting onset of the interference fringes to lower photon energies can be used as a characteristic fingerprint during the deposition process. In conclusion, this work showed that Raman spectroscopy, XRD and reflectometry could be successfully implemented for in situ process control and monitoring of high temperature annealing and vacuum deposition of Cu-Sn-Zn-S based precursors and absorbers. The application of these in situ techniques can lead to the optimization of thin film material properties and solar cells. As such, this study has paved the way for further improvement of Cu-Sn-Zn-S based precursors and thin film absorbers. Innerhalb der letzten Jahre hat sich Kesterit Cu2ZnSnS4 (CZTS) aufgrund seiner ungiftigen Bestandteile und deren hoher Verfügbarkeit zu einer interessanten Alternative zu Kupfer Indium Gallium (di-)Selenid (CIGS) entwickelt. Zur Herstellung von Kesterit Dünnschichten wird eine Vielzahl von Methoden verwendet wie Ko-Verdampfung, Sputtern, Elektrodeposition, Spray Pyrolyse und andere. Die meisten davon beinhalten einen Temper-Schritt um die Durchmischung und Interdiffusion der Elemente zu stimulieren. Obwohl der Wirkungsgrad der Kersterit Solarzellen von verschiedenen Forschungsgruppen erhöht wurde, ist der Rekordwert von IBM von 12,6 % noch nicht gebrochen worden. Daher werden experimentelle und theoretische Studien benötigt, die den Einfluss von Fremdphasen und schädlichen Defekten auf die elektronischen Eigenschaften der CZTS Solarzellen vorhersagen. Die vorliegende Arbeit untersucht zerstörungsfreie Methoden für die in situ Prozesskontrolle und -überwachung. Dabei ist das Ziel, entscheidende Prozessschritte wie das Vortempern der Metall-Vorläufer sowie das Hochtemperatur-Tempern und die Vakuum-Abscheidung von Cu-Sn-Zn-S basierten Schichten zu optimieren. Die Untersuchung besteht aus drei Teilen, in denen Raman-Spektroskopie, Röntgendiffraktion (XRD) und Reflektometrie benutzt werden um dieses Ziel zu erreichen. Im ersten Teil wird die Ramanspektroskopie als in situ Methode zur Überwachung des Hochtemperatur-Temperns von Dünnschichten betrachtet. Es wird untersucht, ob das Entstehen von CZTS beim Tempern von gestapelten Mo/CTS/ZnS Dünnschichten beobachtet werden kann. CuS, SnS, ZnS und CTS (Cu-Sn-S) Schichten werden durch physikalische Gasabscheidung hergestellt. Die Intensität der Raman Streuung wurde vergleichen um zu untersuchen, ob die spezifischen Vibrations-Moden bei Raumtemperatur voneinander unterschieden werden können. Dann werden die CTS Schichten zwischen 50 °C und 550 °C getempert um zu untersuchen, ob die CTS Vibrations-Moden bei höheren Temperaturen identifiziert werden können und um festzustellen, welche Übergänge innerhalb der Schicht auftreten. Außerdem wurde eine CZTS Referenzschicht zwischen 50 °C und 550 °C für Referenzzwecke getempert worden. Die Temperaturabhängigkeit der CZTS Haupt-Moden werden betrachtet, um zu untersuche, ob sie für die in situ Temperaturüberwachung verwendet werden können. Abschließend wurde eine ZnS Schicht auf einem nicht getemperten CTS Film abgeschieden, um eine gestapelte Mo/CTS/ZnS Schicht zu erhalten. Diese Schicht wird verwendet, um die Umwandlung von CTS/ZnS zu CZTS bei erhöhten Temperaturen zu untersuchen. Es wurde festgestellt, dass Raman Spektroskopie erfolgreich verwendet werden kann, um die Bildung von CZTS zu überwachen, indem die Haupt-Vibrations-Moden während des Temperns identifiziert werden. Die Intensität der CTS Moden verringert sich bei höheren Temperaturen. Bei 450 °C kann die CZTS Hauptmode bei 338 cm-1 klar identifiziert werden. Der zweite Teil konzentriert sich ebenfalls auf das Hochtemperatur-Tempern. In diesem Teil liegt der Fokus allerdings auf dem Tempern der Metal-Vorläufer-Schichten. Es wird erforscht, ob bestimmte Legierungen die Entstehung von Fremdphasen während der Entstehung der CZTS Absorberschichten begünstigen oder hemmen und welchen Einfluss dies auf die Leistung der Solarzelle hat. In situ XRD wird verwendet, um die Prozesse des Vortemperns zu überwachen. Kupfer arme Metall-Vorläufer-Schichten werden durch Sputtern aufgetragen. Die Vorläufer werden bei 150 °C, 200 °C, 300 °C und 450 °C in einem Drei-Zonen-Röhren-Ofen getempert. Die Auswirkungen auf die strukturellen Eigenschaften werden mit XRD analysiert, um den Entstehungsmechanismus der Legierungen zu untersuchen. Die Vorläuferschichten werden dann in einem Drei-Zonen-Röhren-Ofen sulfurisiert. Die strukturellen Eigenschaften des Absorbers werden analysiert und mit der Struktur der Vorläufer korreliert. Es wurde festgestellt, dass die Entstehung von SnS2 im Absorber proportional zum verbleibenden Sn im vorgetemperten Vorläufer ist. Außerdem zeigen Bilder des Rasterelektronenmikroskops, dass die Temperatur des Vortemperns das Kornwachstum und das Abschieden von Sn-S und Zn-S an der Oberfläche beeinflusst. Bei 450 °C vorgetemperte Absorber weisen keine dieser Phasen an der Oberfläche auf. Solarzellen werden aus diesen Absorber-Schichten hergestellt und die besten Zellen entstanden aus den bei 450 °C vorgetemperten Absorbern. Bei diesen traten Sn und SnS2 weder im Vorläufer noch im Absorber auf. Es konnte geschlussfolgert werden, dass SnS2 Phasen schädlich für den Wirkungsgrad der Zellen sind und dass die Intensität der SnS2 XRD Peaks invers proportional zum Wirkungsgrad der Zellen ist. Der dritte Teil erforscht die Reflektometrie als Methode zur Überwachung des Schichtwachstums während des thermischen Verdampfens in einer Anlage zur physikalischen Gasabscheidung (PVD). Ein Satz aus sechs CZTS Absorbern wird mittels ex situ Raman-Spektroskopie und Reflektometrie vermessen, um den Einfluss der Fremdphasen CuS und ZnS auf die Reflexionsspektren zu untersuchen. Die Zusammensetzung beeinflusst die Reflexionsspektren stark und CuS hinterlässt eine charakteristische Senkung bei 600 nm im Reflexionsspektrum. Eine Integrationsmethode wurde verwendet um dieses Phänomen quantitativ zu analysieren. Anschließend wurde ein Reflektometrieaufbau entworfen, entwickelt und in die PVD-Anlage integriert. Vier verschiedene CZTS koverdampfte und Mehrschicht-Filme wurden abgeschieden. Strukturelle, morphologische und Vibrationseigenschaften werden untersucht. Die Reflexionsspektren werden während des Abscheidens aufgenommen und zeitabhängige Reflexionsspektren werden auf charakteristische Aspekte im Zusammenhang mit Eigenschaften wie Dicke, Bandlücke und Entstehung von Phasen untersucht. CuS konnte in den Schichten mit der Integrations-Methode wegen der Überlagerung der CuS Senkung mit dem entstehenden Interferenzmuster nicht detektiert werden. Allerdings wurde in gestapelten CTS/ZnS Schichten beobachtet werden, dass der Beginn der ZnS Abscheidung durch eine ansteigende Intensität der Reflektion aufgrund der verringerten Oberflächenrauigkeit detektiert werden kann. Zusätzlich kann die Verschiebung des Startpunkts der Interferenzen zu niedrigeren Photonenenergien als charakteristischer Fingerabdruck während des Abscheidungsprozesses verwendet werden. Zusammenfassend zeigt diese Arbeit, dass Raman-Spektroskopie, XRD und Reflektrometrie erfolgreich als in situ Prozesskontrolle und –überwachung bei Hochtemperatur-Tempern und Vakuum-Abscheidung von Cu-Sn-Zn-S basierten Vorläufern und Absorbern realisiert werden konnten. Die Anwendung dieser in situ Techniken kann zu einer Optimierung der Eigenschaften von Dünnschicht-Materialien und von Solarzellen führen. Als solche hat diese Untersuchung den Weg für weitere Verbesserung von Cu-Sn-Zn-S basierte Vorläufer und Dünnschicht-Absorber geebnet.

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Publisher: ASM International
ISBN: 9780871702852
Category : Technology & Engineering
Languages : en
Pages : 1234

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Book Description
Volume 1: Packaging is an authoritative reference source of practical information for the design or process engineer who must make informed day-to-day decisions about the materials and processes of microelectronic packaging. Its 117 articles offer the collective knowledge, wisdom, and judgement of 407 microelectronics packaging experts-authors, co-authors, and reviewers-representing 192 companies, universities, laboratories, and other organizations. This is the inaugural volume of ASMAs all-new ElectronicMaterials Handbook series, designed to be the Metals Handbook of electronics technology. In over 65 years of publishing the Metals Handbook, ASM has developed a unique editorial method of compiling large technical reference books. ASMAs access to leading materials technology experts enables to organize these books on an industry consensus basis. Behind every article. Is an author who is a top expert in its specific subject area. This multi-author approach ensures the best, most timely information throughout. Individually selected panels of 5 and 6 peers review each article for technical accuracy, generic point of view, and completeness.Volumes in the Electronic Materials Handbook series are multidisciplinary, to reflect industry practice applied in integrating multiple technology disciplines necessary to any program in advanced electronics. Volume 1: Packaging focusing on the middle level of the electronics technology size spectrum, offers the greatest practical value to the largest and broadest group of users. Future volumes in the series will address topics on larger (integrated electronic assemblies) and smaller (semiconductor materials and devices) size levels.

Author:
Publisher:
ISBN:
Category : Aeronautics
Languages : en
Pages : 988

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Author: P. R. K. Chetty
Publisher: Notion Press
ISBN:
Category : Technology & Engineering
Languages : en
Pages : 766

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Book Description
An authoritative reference on the latest Satellite Technology, including applications, history, evolution, design, descriptions, formulas, calculations and much more. Satellites play a vital role in today’s world and as satellite costs decrease, potential applications grow. Whether you’re a satellite systems engineer, designer, or manager, you need a good, all-purpose reference to this important technology. Now, with Satellite Technology and Its Applications – 3rd Edition, author provides broadened updated coverage of today’s satellite systems, including system data, design formulas and examples, and many other aspects of current spacecraft subsystems. Intended to save you time and effort in your research, this book offers a single source of information related to the design and analysis of satellite systems and their applications. Author’s extensive experience in the U.S., European and Indian space programs gives a wide perspective on this increasingly international scientific endeavor. Satellite design engineers, systems engineers, and managers will find this book to be completely up-to-date, comprehensive and accurate. Regardless of your field of concentration, you’ll discover this comprehensive guide to satellite technology is the most current general reference available.

Author: C.E. Morosanu
Publisher: Elsevier
ISBN: 1483291731
Category : Technology & Engineering
Languages : en
Pages : 720

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Book Description
The explosive growth in the semiconductor industry has caused a rapid evolution of thin film materials that lend themselves to the fabrication of state-of-the-art semiconductor devices. Early in the 1960s an old research technique named chemical vapour phase deposition (CVD), which has several unique advantages, developed into the most widely used technique for thin film preparation in electronics technology. In the last 25 years, tremendous advances have been made in the science and technology of thin films prepared by means of CVD. This book presents in a single volume, an up-to-date overview of the important field of CVD processes which has never been completely reviewed previously.

Author: Hans Hartnagel
Publisher: CRC Press
ISBN:
Category : Art
Languages : en
Pages : 376

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Book Description
A comprehensive account of the properties, growth and applications of semiconducting transparent thin films, this book provides a single source reference for researchers in the field. It discusses the underlying physics of such films, and their commercial applications in such areas as gas sensors and temperature control coatings in the aerospace industry. It is clearly written, with sections on the different materials, different growth techniques, electrical properties, optical properties, and selected applications, for coatings, sensors, detectors and display devices. It is a valuable reference tool for the established researcher, and provides a comprehensive introcution to the subject for graduates of electrical and electronic engineering. The international team of authors, under the leadership of one of the world's authorities on the subject have written a book which has become the standard work in the field.

Author: Alberto Palmero
Publisher: MDPI
ISBN: 3039364294
Category : Science
Languages : en
Pages : 148

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Book Description
Recent years have witnessed the flourishing of numerous novel strategies based on the magnetron sputtering technique aimed at the advanced engineering of thin films, such as HiPIMS, combined vacuum processes, the implementation of complex precursor gases or the inclusion of particle guns in the reactor, among others. At the forefront of these approaches, investigations focused on nanostructured coatings appear today as one of the priorities in many scientific and technological communities: The science behind them appears in most of the cases as a "terra incognita", fascinating both the fundamentalist, who imagines new concepts, and the experimenter, who is able to create and study new films with as of yet unprecedented performances. These scientific and technological challenges, along with the existence of numerous scientific issues that have yet to be clarified in classical magnetron sputtering depositions (e.g., process control and stability, nanostructuration mechanisms, connection between film morphology and properties or upscaling procedures from the laboratory to industrial scales) have motivated us to edit a specialized volume containing the state-of-the art that put together these innovative fundamental and applied research topics. These include, but are not limited to: • Nanostructure-related properties; • Atomistic processes during film growth; • Process control, process stability, and in situ diagnostics; • Fundamentals and applications of HiPIMS; • Thin film nanostructuration phenomena; • Tribological, anticorrosion, and mechanical properties; • Combined procedures based on the magnetron sputtering technique; • Industrial applications; • Devices.

Author: United States. National Aeronautics and Space Administration Scientific and Technical Information Division
Publisher:
ISBN:
Category : Aeronautics
Languages : en
Pages : 2300

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Book Description

Author: United States. National Aeronautics and Space Administration. Scientific and Technical Information Division
Publisher:
ISBN:
Category : Aeronautics
Languages : en
Pages : 2088

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